JSR ELPAC THB-180N高厚膜光刻胶 铜柱电镀用负性光刻胶

深圳市睿擎国际贸易有限公司专业供应JSR半导体光刻材料，可提供JSR ELPAC THB-180N厚膜光刻胶产品咨询、资料申请及应用选型支持，主要面向高铜柱电镀、晶圆级封装、先进封装和高深宽比金属结构加工。

JSR THB-180N是什么

JSR ELPAC THB-180N是一款用于电镀工艺的负性高厚膜光刻胶，属于JSR THB系列。该系列通过曝光发生交联，可采用标准TMAH显影，具有较好的电镀液耐受性、图形保持能力及后续剥离性能。

根据JSR 2025年发布的产品资料，THB-180N主要定位于膜厚超过100μm的高铜柱制程，适合形成较高的铜柱及高深宽比电镀结构。

产品主要特点

• 负性厚膜电镀光刻胶
• 适用于超过100μm的高厚膜制程
• 主要用于高铜柱电镀
• 具有较好的厚膜成膜能力
• 支持高深宽比图形加工
• 具有良好的铜电镀液耐受性
• 电镀完成后可进行光刻胶剥离
• 适用于晶圆级和先进封装工艺

JSR公开资料展示了约340μm膜厚、100μm直径图形以及约290μm铜柱高度的工艺示例，说明THB系列能够覆盖较高铜柱结构的制造需求。

典型应用

高铜柱电镀

THB-180N主要用于厚膜铜电镀模具，通过旋涂、曝光和显影形成高深宽比开口，再进行铜电镀，可用于制造高铜柱、厚铜结构及先进封装互连部件。

晶圆级封装

该产品可用于晶圆级封装中的铜柱和金属互连结构，适合对光刻胶膜厚、电镀耐受性及图形稳定性要求较高的制程。

Flip Chip及先进封装

在Flip Chip、WLCSP、Fan-Out以及其他先进封装工艺中，可用于形成较高的铜柱结构，为芯片与封装基板之间提供电气和机械连接。

高深宽比金属结构

THB-180N适合制造厚度较高、开口较深的金属电镀结构，可用于微型金属部件、厚铜线路及特殊微结构加工。

THB-180N与其他THB型号的区别

JSR最新产品线将THB-180N归入High Cu Pillar高铜柱方向，而THB-151N主要用于20–100μm的Cu、Ni及SnAg凸块工艺。

基本产品信息

• 产品名称：JSR ELPAC THB-180N
• 产品类型：负性厚膜光刻胶
• 显影体系：TMAH碱性显影
• 膜厚方向：超过100μm
• 主要电镀材料：铜
• 主要应用：高铜柱、厚铜电镀、先进封装
• 施工方式：旋涂、前烘、曝光、显影、电镀及剥离

具体旋涂转速、前烘温度、曝光能量、显影时间及剥离条件，需要根据目标膜厚、晶圆尺寸、曝光设备和铜柱结构进行工艺匹配。

产品供应

深圳市睿擎国际贸易有限公司可提供JSR ELPAC THB-180N高厚膜光刻胶，适用于高铜柱电镀、晶圆级封装及高深宽比金属结构加工。