JSR THB-151N厚膜电镀光刻胶

JSR THB-151N是一款负性厚膜电镀光刻胶，主要用于半导体先进封装中的铜、镍及焊锡凸块电镀工艺。深圳市睿擎国际贸易有限公司可提供JSR THB-151N产品咨询、资料申请及应用选型支持。

JSR THB-151N是什么

THB-151N属于JSR ELPAC THB系列负性厚膜光刻胶，适用于晶圆级封装、倒装芯片及凸块电镀等工艺。

JSR官方资料将THB-151N定位于约25–90μm厚膜范围，主要用于铜电镀和焊锡凸块制程；JSR最新系列资料中，THB-151N及相关型号可覆盖约20–100μm厚膜，并用于Cu、Ni及SnAg电镀。

产品主要特点

JSR THB-151N具有较好的厚膜成膜能力和电镀工艺适应性，可在较厚胶膜条件下形成较为清晰的图形结构，为后续金属沉积提供光刻模具。

主要特点包括：

• 负性厚膜电镀光刻胶
• 适用于较厚胶膜制程
• 可用于铜、镍及焊锡电镀
• 适合凸块和铜柱结构加工
• 具有良好的图形保持能力
• 可配合晶圆级封装工艺
• 电镀完成后可进行光刻胶剥离

典型应用

铜凸块和铜柱电镀

THB-151N可作为铜电镀模具，用于形成铜凸块、铜柱及其他厚金属结构，适用于晶圆级封装和先进互连工艺。

焊锡凸块

该型号可用于SnAg等焊锡凸块电镀，适合Flip Chip、C4及晶圆级封装中的焊点结构制作。JSR官方产品线将THB-151N列入Cu、Ni及SnAg凸块应用范围。

半导体先进封装

THB系列主要面向下一代WL-CSP等封装工艺，可用于需要厚膜、高深宽比金属结构的半导体封装流程。

微型线圈和金属结构

JSR曾公开介绍THB-151N用于先进铜线圈沉积工艺，可通过厚膜光刻与铜电镀形成微型金属线圈及精密结构。

基本产品信息

• 产品名称：JSR ELPAC THB-151N
• 产品类型：负性厚膜光刻胶
• 推荐膜厚：约25–90μm
• 主要电镀材料：Cu、Ni、SnAg
• 主要应用：铜柱、铜凸块、焊锡凸块、Flip Chip、WL-CSP
• 施工方式：晶圆旋涂、曝光、显影、电镀及剥离

具体旋涂转速、前烘条件、曝光能量、显影时间及剥离工艺，需要结合目标膜厚、设备型号和实际生产条件进行确认。

THB-151N与其他THB型号的区别

THB系列可根据目标膜厚和电镀结构进行选择：

• THB-111N：约5–15μm，适合精细铜线路及Cu RDL
• THB-126N：约15–50μm，适合金凸块及微型凸块
• THB-151N：约25–90μm，适合铜、镍及焊锡凸块
• THB-170N / THB-180N：适合更厚的铜柱及高深宽比结构。

如果客户需要较厚胶膜，并用于铜柱、铜凸块或焊锡凸块电镀，可以优先评估THB-151N。

产品供应

深圳市睿擎国际贸易有限公司可提供JSR THB-151N厚膜电镀光刻胶产品咨询，并可根据客户的目标膜厚、曝光设备、电镀材料及封装结构协助确认型号。